| 半導体レーザ素子 | |
| 八木 久晴; 松本 晃広 | |
| 1999-02-26 | |
| 著作权人 | SHARP CORP |
| 专利号 | JP1999054834A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 可飽和吸収層を用いた半導体レーザ素子において、戻り光によるエラーの発生を抑制し、安定した発振を得る。 【解決手段】 半導体基板上に、少なくとも、第1導電型クラッド層、活性層、及び第2導電型クラッド層が順次積層された半導体レーザ素子であって、該半導体レーザ素子の光共振器の中にレーザ発振光のエネルギーと略等しい禁制帯幅を有し、少なくとも1層からなる可飽和吸収層を備えた半導体レーザ素子において、前記可飽和吸収層は、その光出射端面の可飽和吸収量と、共振器内部の可飽和吸収量とが異なってなる。 |
| 公开日期 | 1999-02-26 |
| 申请日期 | 1997-08-07 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88899]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SHARP CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 八木 久晴,松本 晃広. 半導体レーザ素子. JP1999054834A. 1999-02-26. |
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