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	SHIBUYA TAKAO; SHIMIZU JUICHI; WADA MASARU; TERAMOTO ITSUKI; HAMADA TAKESHI; ITO KUNIO
	1993-08-20
著作权人	MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
专利号	JP1993056675B2
国家	日本
文献子类	授权发明
其他题名	-
英文摘要	PURPOSE:To form a vertical cavity mirror surface at a junction, by specifying the difference between the mixed crystal ratio (x) of a Ga1-xAlxAs cld layer on an active layer and the mixed crystal ratio (z) of a Ga1-zAlzAs layer formed on the clad layer through a GaAs layer, and effecting chemical etching through a mask. CONSTITUTION:An N type Ga1-xAlxAs (0
公开日期	1993-08-20
申请日期	1984-07-31
状态	失效
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88695]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	SHIBUYA TAKAO,SHIMIZU JUICHI,WADA MASARU,et al. -. JP1993056675B2. 1993-08-20.

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