| 半導体発光素子 | |
| 大矢 昌輝 | |
| 2009-09-10 | |
| 著作权人 | NEC CORP |
| 专利号 | JP2009206463A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】スロープ効率の低下を抑制し、良好な素子特性が得られる能動MMI型半導体レーザを提供すること。 【解決手段】本発明に係る半導体発光素子は、能動多モード干渉導波路110bと、能動多モード干渉導波路110b内の光強度に応じて形成され、能動多モード干渉導波路110b内の電流量を制御する電流制御構造104bと、を有することを特徴とするものである。電流制御構造104bにより、無効電流を十分低減できると同時に、結合損失をほぼ零にすることができる。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2009-09-10 |
| 申请日期 | 2008-02-29 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88605]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NEC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大矢 昌輝. 半導体発光素子. JP2009206463A. 2009-09-10. |
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