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	半導体発光装置の製造方法
	竹内 辰也
	1993-07-13
著作权人	FUJITSU LTD
专利号	JP1993175606A
国家	日本
文献子类	发明申请
其他题名	半導体発光装置の製造方法
英文摘要	【目的】 半導体発光装置の製造方法に関し,活性層をバイパスする洩れ電流を阻止する埋込み層を形成する方法の提供を目的とする。 【構成】 一導電型化合物半導体(100)基板1上に活性層2,反対導電型クラッド層3をこの順に形成する工程と,クラッド層3上に選択成長用マスク4を形成し,選択成長用マスク4をマスクにしてクラッド層3,活性層2,基板1をエッチングし,クラッド層3の側面がほぼ(011)面であるメサを形成する工程と,一導電型不純物と反対導電型不純物を同時に含む化合物半導体原料ガスを供給して,(100)基板1上に反対導電型埋込み層5を成長させ,かつクラッド層3の(011)側面上に一導電型埋込み層6を成長させる工程とを有するように,また,少なくとも一導電型埋込み層6に現れる(111)面が埋まり始める前に反対導電型不純物の供給を停止し,反対電型埋込み層5上に一導電型埋込み層7を成長させる工程とを含むように構成する。
公开日期	1993-07-13
申请日期	1992-06-16
状态	失效
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88425]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	FUJITSU LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	竹内 辰也. 半導体発光装置の製造方法. JP1993175606A. 1993-07-13.

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