| 半導体装置の製造方法 | |
| 加藤 和利; 松本 信一 | |
| 1994-05-13 | |
| 著作权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 专利号 | JP1994132606A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 半導体装置微細化にともなう半導体装置上層部の構造的劣化を解消した、高速応答可能な半導体装置の製造方法を提供する。 【構成】 基板101上に下部クラッド層102、活性層103、上部クラッド層104を積層し、さらに上部クラッド層104の上面にSiO2 からなる第1のエッチングマスク105を形成する。上部クラッド層104の上部をドライエッチングし、島状に加工し、該島状に形成した上部クラッド層104全面に第2のエッチングマスクとしてのSiO2 膜106を推積する。ドライエッチングによりSiO2 膜106をエッチングする。この際、島状部側面のSiO2 膜はエッチングされず残存する。ウエットエッチングにより、下部クラッド層102が露出するまでエッチングを行なう。エッチングマスクを除去後、露出されたクラッド層102上にn型オーミック電極107、p型上部クラッド層104にp型オーミック電極108を各々形成する。 |
| 公开日期 | 1994-05-13 |
| 申请日期 | 1992-10-19 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87961]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 加藤 和利,松本 信一. 半導体装置の製造方法. JP1994132606A. 1994-05-13. |
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