| 半導体光素子およびその製造方法 | |
| 松舘 みつき | |
| 2009-08-06 | |
| 著作权人 | NEC CORP |
| 专利号 | JP2009176908A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】劣化を確実に抑制することができる半導体光素子を提供すること。 【解決手段】半導体レーザ素子は、一方向に延在する導波路領域(通電領域A’)が形成された半導体層(活性層4)を有する。半導体層(活性層4)の下方には、半導体層(活性層4)の導波路領域(通電領域A’)を除く他の領域に面欠陥15を形成するための面欠陥発生誘導体10が複数離間して配置されている。半導体層(活性層4)表面側からの平面視において面欠陥発生誘導体10と、導波路領域(通電領域A’)とが離間配置されるとともに、導波路領域(通電領域A’)の延在方向に沿って複数の面欠陥発生誘導体10が点在している。 【選択図】図2 |
| 公开日期 | 2009-08-06 |
| 申请日期 | 2008-01-24 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87807]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NEC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 松舘 みつき. 半導体光素子およびその製造方法. JP2009176908A. 2009-08-06. |
| 个性服务 |
| 查看访问统计 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论