| 半導体レーザ | |
| 福嶋 丈浩; 穴山 親志 | |
| 1995-03-31 | |
| 著作权人 | FUJITSU LTD |
| 专利号 | JP1995086692A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】斜面部分に共振器が形成される構造の半導体レーザに関し、半導体レーザのいきい値電流の上昇を抑え、電流注入効率を良くすること。 【構成】クラッド層26と活性層24の間に多重量子障壁層25を介在させるとともに、前記多重量子障壁層25の正孔に対するエネルギー障壁高さは、基板21の斜面の上の部分よりもその両側の平坦な部分の方が高くなっていることを含む。 |
| 公开日期 | 1995-03-31 |
| 申请日期 | 1993-09-14 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87474]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJITSU LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 福嶋 丈浩,穴山 親志. 半導体レーザ. JP1995086692A. 1995-03-31. |
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