| 安定性の向上した少数キャリア半導体素子及びその向上方法 | |
| ステファン·エー·ストックマン; ダニエル·エー·ステイガーウォルド; チャングア·チェン | |
| 1996-12-13 | |
| 著作权人 | ルミレッズ ライティング ユーエス リミテッド ライアビリティ カンパニー |
| 专利号 | JP1996330626A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 安定性の向上した少数キャリア半導体素子及びその向上方法 |
| 英文摘要 | 【課題】少数キャリア半導体素子は、いくつかの理由により、動作中に劣化する可能性があるが、これを有効に防止し、信頼性の高い安定した半導体素子及びその信頼性を向上させる方法を提供することである。 【解決手段】少数キャリア半導体素子の製造過程におけるエピタキシャル成長ステップにおいて、III-V族の光電子半導体素子に不純物を意図的にドープする。通常、これらの不純物は深い準位のトラップとみなされ、光電子半導体素子においては望ましくない。しかしながら、これらの不純物は、活性領域に隣接する層に対して、劣化プロセス、とりわけ、望ましくない欠陥の形成及び伝搬に対する障壁の働きをするので、半導体素子の効率を損なうことなく少数キャリア半導体素子の動作安定性を向上させることが出来る。 |
| 公开日期 | 1996-12-13 |
| 申请日期 | 1996-06-05 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87077]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ルミレッズ ライティング ユーエス リミテッド ライアビリティ カンパニー |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | ステファン·エー·ストックマン,ダニエル·エー·ステイガーウォルド,チャングア·チェン. 安定性の向上した少数キャリア半導体素子及びその向上方法. JP1996330626A. 1996-12-13. |
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