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1978-09-07 | |
著作权人 | HITACHI LTD |
专利号 | JP1978032238B2 |
国家 | 日本 |
文献子类 | 授权发明 |
其他题名 | - |
英文摘要 | PURPOSE:To reduce oscillation threshold power and enable singlemode oscillations to be obtained by providing periodicity to double hetero structure in a laser device comprising bonding Ga1-yAlyAs(y>x) layers, with single or plural Ga1-xAlxAs layers being an active region in-between. |
公开日期 | 1978-09-07 |
申请日期 | 1977-10-19 |
状态 | 失效 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87022] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | HITACHI LTD |
推荐引用方式 GB/T 7714 | -. -. JP1978032238B2. 1978-09-07. |
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