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	1978-09-07
著作权人	HITACHI LTD
专利号	JP1978032238B2
国家	日本
文献子类	授权发明
其他题名	-
英文摘要	PURPOSE:To reduce oscillation threshold power and enable singlemode oscillations to be obtained by providing periodicity to double hetero structure in a laser device comprising bonding Ga1-yAlyAs(y>x) layers, with single or plural Ga1-xAlxAs layers being an active region in-between.
公开日期	1978-09-07
申请日期	1977-10-19
状态	失效
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87022]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	HITACHI LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	-. -. JP1978032238B2. 1978-09-07.

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