| 다파장 반도체 레이저 및 그 제조 방법 | |
| ARAKIDA,TAKAHIRO | |
| 2004-11-04 | |
| 著作权人 | 소니 주식회사 |
| 专利号 | KR1020040093012A |
| 国家 | 韩国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 다파장 반도체 레이저 및 그 제조 방법 |
| 英文摘要 | 다파장 반도체 레이저가 개시된다. 본 발명의 다파장 반도체 레이저는 분리 영역을 개재하여 공통 기판 상에 설치된 제1 단부면 발광형 공진기 구조와 제2 단부면 발광형 공진기 구조를 갖는다. 제1 단부면 발광형 공진기 구조는 650nm의 발진 파장을 가진다. 제2 단부면 발광형 공진기 구조는 780nm의 발진 파장을 가진다. 막 두께 60nm의 제1 Al 2O 3 막, 막 두께 55nm의 TiO 2 막, 및 막 두께 140nm의 제2 Al 2 O 3 막으로 이루어진 3층 유전체막이며, TiO 2막의 굴절율은 제1 Al 2 O 3 막의 굴절율과 제2 Al 2 O 3 막의 굴절율보다 작은 저 반사막을 포함한다. 도 1 색인어 다파장 반도체 레이저, 단부면 발광형 공진기, 3층 유전체막, 저 반사막 |
| 公开日期 | 2004-11-04 |
| 申请日期 | 2004-04-23 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86855]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 소니 주식회사 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | ARAKIDA,TAKAHIRO. 다파장 반도체 레이저 및 그 제조 방법. KR1020040093012A. 2004-11-04. |
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