固溶半導体レ—ザ素子用材料およびレ—ザ素子
阿部 世嗣; 増本 剛
2000-07-18
著作权人財団法人電気磁気材料研究所
专利号JP2000200944A
国家日本
文献子类发明申请
其他题名固溶半導体レ—ザ素子用材料およびレ—ザ素子
英文摘要(修正有) 【課題】本発明は、波長0.4〜8μmの赤外領域で発振し、波長可変で室温付近で動作するレーザ素子、特に格子整合型ダブルヘテロ接合構造および量子井戸構造のレーザ素子を製作可能な固溶半導体レーザ素子用材料およびレーザ素子を提供する。 【解決手段】一般式Pb1-x-yMgxYyX(但し、モル比で、02(111)へき開面を用いる。成長終了後、固溶半導体レーザ材料の取り出しは、各部の温度が室温まで降下した後、真空槽内を適当なガス、例えば、窒素によりパージすることにより適当な形状の薄膜を製造する。
公开日期2000-07-18
申请日期1999-01-06
状态失效
内容类型专利
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86471]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位財団法人電気磁気材料研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
阿部 世嗣,増本 剛. 固溶半導体レ—ザ素子用材料およびレ—ザ素子. JP2000200944A. 2000-07-18.
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