半导体激光器装置以及其制造方法
吉田隆幸; 上田直人; 大森弘治; 本藤拓磨; 笠井辉明
2014-09-10
著作权人松下知识产权经营株式会社
专利号CN104040809A
国家中国
文献子类发明申请
其他题名半导体激光器装置以及其制造方法
英文摘要本发明的半导体激光器装置具有:导电性的散热部件、导电性的第1粘合剂、和半导体激光器元件。第1粘合剂设于散热部件之上,半导体激光器元件设于第1粘合剂之上。第1粘合剂在半导体激光器元件的射出激光的发射器端面部之下到达散热部件的侧面上。由此,能进一步提升半导体激光器元件的散热性,并能效率良好地取出来自半导体激光器元件的激光。
公开日期2014-09-10
申请日期2013-03-05
状态授权
内容类型专利
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86426]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位松下知识产权经营株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
吉田隆幸,上田直人,大森弘治,等. 半导体激光器装置以及其制造方法. CN104040809A. 2014-09-10.
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