VCSEL激光器与硅基光子集成电路中光栅结构的耦合方法 | |
田野 | |
2017-07-14 | |
著作权人 | 湖南城市学院 |
专利号 | CN106950660A |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | VCSEL激光器与硅基光子集成电路中光栅结构的耦合方法 |
英文摘要 | 本发明公开了一种能偏折垂直腔面发光激光器的光线的VCSEL激光器与硅基光子集成电路中光栅结构的耦合方法,其特征是在硅基耦合光栅结构的表面制作光学中介件,或在VCSEL激光器裸片出光面制作光学中介件;本发明基于半导体加工工艺中常见的光刻技术,采用的flip‑chip工艺,能与CMOS技术兼容,在稳定性,重复性和加工效率上都可适应规模化制造的要求,进而降低PIC的生产成本;用灰度光刻技术在硅基耦合光栅或VCSEL裸片的表面制作具有偏折光线效果的楔形结构,使VCSEL发出的激光能够通过光栅结构被有效耦合到PIC中;获得的结构中VCSEL的电学连接有好的对称性,避免注入VCSEL激光器的电流的分布,及热效应造成的温升不对称,有利于VCSEL激光器保持工作状态。 |
公开日期 | 2017-07-14 |
申请日期 | 2017-05-22 |
状态 | 申请中 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86355] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 湖南城市学院 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 田野. VCSEL激光器与硅基光子集成电路中光栅结构的耦合方法. CN106950660A. 2017-07-14. |
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