VCSEL激光器与硅基光子集成电路中光栅结构的耦合方法
田野
2017-07-14
著作权人湖南城市学院
专利号CN106950660A
国家中国
文献子类发明申请
其他题名VCSEL激光器与硅基光子集成电路中光栅结构的耦合方法
英文摘要本发明公开了一种能偏折垂直腔面发光激光器的光线的VCSEL激光器与硅基光子集成电路中光栅结构的耦合方法,其特征是在硅基耦合光栅结构的表面制作光学中介件,或在VCSEL激光器裸片出光面制作光学中介件;本发明基于半导体加工工艺中常见的光刻技术,采用的flip‑chip工艺,能与CMOS技术兼容,在稳定性,重复性和加工效率上都可适应规模化制造的要求,进而降低PIC的生产成本;用灰度光刻技术在硅基耦合光栅或VCSEL裸片的表面制作具有偏折光线效果的楔形结构,使VCSEL发出的激光能够通过光栅结构被有效耦合到PIC中;获得的结构中VCSEL的电学连接有好的对称性,避免注入VCSEL激光器的电流的分布,及热效应造成的温升不对称,有利于VCSEL激光器保持工作状态。
公开日期2017-07-14
申请日期2017-05-22
状态申请中
内容类型专利
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86355]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位湖南城市学院
推荐引用方式
GB/T 7714
田野. VCSEL激光器与硅基光子集成电路中光栅结构的耦合方法. CN106950660A. 2017-07-14.
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