| 紧凑芯片中的长半导体激光腔 | |
| A·贝法尔; C·斯塔盖瑞斯库 | |
| 2016-04-20 | |
| 著作权人 | 镁可微波技术有限公司 |
| 专利号 | CN105514800A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 紧凑芯片中的长半导体激光腔 |
| 英文摘要 | 紧凑芯片中的长半导体激光腔。通过使用由蚀刻面形成的全内反射(TIR)表面，长半导体激光器腔体被放置在相对较短长度的芯片里。在一个实施例中，通过使用成三个45度角的TIR表面来连接界定激光腔的四段脊波导或掩埋异质结构(BH)波导，沿着矩形半导体芯片的周边边界形成激光腔。在其他实施例中，甚至使用更多TIR表面和波导段或节段，制造矩形或四边形螺旋结构形状的更长的激光腔。这些结构被限制在邻近波导部分的间隙中，如果其中间隙太小，会引起节段之间的不被期望的耦合。但是，使用邻近部分之间的蚀刻凹槽已被证明可减少这种耦合效应。 |
| 公开日期 | 2016-04-20 |
| 申请日期 | 2011-10-25 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86155]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 镁可微波技术有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | A·贝法尔,C·斯塔盖瑞斯库. 紧凑芯片中的长半导体激光腔. CN105514800A. 2016-04-20. |
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