分布反馈半导体激光芯片及其制备方法、光模块
方瑞禹; 徐晓颖
2017-10-03
著作权人青岛海信宽带多媒体技术有限公司
专利号CN107230931A
国家中国
文献子类发明申请
其他题名分布反馈半导体激光芯片及其制备方法、光模块
英文摘要本发明实公开了一种分布反馈半导体激光芯片及其制备方法、光模块,具体的,在一个激光芯片中设计两个或两个以上的宽度不同的有源区,并且各有源区上的光栅通过解离形成的光栅端面相位相同。由于激光器的有效折射率Neff由有源区材料、宽度、厚度等因素决定,因此芯片中的其它因素相同的前提下,上述有源区宽度不同的芯片单元对应的有效折射率Neff也不同。同时,DFB激光器输出波长受Neff影响,所以激光芯片中有源区宽度的变化,最终引起各有源区输出波长的变化。进一步的,波长不同的两个激光器,在相同的光栅端面相位下,边摸抑制比也不同,因此,可以从一个芯片的各有源区对应的芯片单元中挑选出边摸抑制比性能更优越的单元进行封装,提高芯片良率。
公开日期2017-10-03
申请日期2017-07-17
状态申请中
内容类型专利
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86097]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位青岛海信宽带多媒体技术有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
方瑞禹,徐晓颖. 分布反馈半导体激光芯片及其制备方法、光模块. CN107230931A. 2017-10-03.
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