脊形波导型半导体激光装置
三桥丰; 泷口透; 花卷吉彦
2003-10-01
著作权人三菱电机株式会社
专利号CN1445892A
国家中国
文献子类发明申请
其他题名脊形波导型半导体激光装置
英文摘要本发明提供漏电流少、改善温度特性、高速动作特性的脊形波导型半导体激光装置。它具有在p型半导体衬底上顺序形成p型包层、量子阱活性层、n型薄的第1包层、n型厚的第2包层的二重异质构造元件,在第2包层上形成的第2条沟之间形成脊形波导,对各沟的蚀刻,使用第1包层作为蚀刻阻塞层,并使各沟达到第1包层的表面或其近旁。薄的第1包层抑制漏电流,改善温度特性、高速动作特性。在各沟正下方的第1包层部分上形成高电阻区,进一步抑制漏电流。
公开日期2003-10-01
申请日期2002-11-18
状态失效
内容类型专利
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86027]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位三菱电机株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
三桥丰,泷口透,花卷吉彦. 脊形波导型半导体激光装置. CN1445892A. 2003-10-01.
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