| 分布反馈半导体激光器中光栅的干法刻蚀制作工艺 | |
| 付生辉; 宋国锋; 陈良惠 | |
| 2008-06-11 | |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 专利号 | CN101197491A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 分布反馈半导体激光器中光栅的干法刻蚀制作工艺 |
| 英文摘要 | 一种分布反馈半导体激光器中光栅的干法刻蚀制作工艺，是利用反应离子刻蚀技术，其主要步骤为：A)用全息曝光的方法在GaInP材料上形成干涉条纹并显影，坚膜；B)将已显影的样品放入反应室内，反应气体为CH4/H2/Ar，其中：CH4流量为5－18sccm；H2流量为17－45sccm；Ar流量为1－8sccm；射频功率为50－150W；反应气压为0.067mbar；反应温度为室温；反应时间为45－60sec。本发明采用CH4、H2和Ar的混合气体系统对GaInP光栅的反应离子腐蚀进行了工艺研究，经过优化气体流量比例和刻蚀时间，可以得到好的刻蚀效果。 |
| 公开日期 | 2008-06-11 |
| 申请日期 | 2006-12-07 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85979]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 付生辉,宋国锋,陈良惠. 分布反馈半导体激光器中光栅的干法刻蚀制作工艺. CN101197491A. 2008-06-11. |
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