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	半导体激光二极管
	克里斯蒂安·劳尔; 哈拉尔德·柯尼希; 乌韦·施特劳斯; 亚历山大·巴赫曼
	2014-08-06
著作权人	欧司朗光电半导体有限公司
专利号	CN103975490A
国家	中国
文献子类	发明申请
其他题名	半导体激光二极管
英文摘要	提出一种具有下述特征的半导体激光二极管：半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有带有有源层(23)的彼此竖直叠加施加的半导体层(21，22，23，25，26)，所述有源层具有宽度大于或等于30μm的有源区域(24)，所述有源区域在运行时经由辐射耦合输出面(11)放射激光辐射，其中辐射耦合输出面(11)通过半导体层序列(2)的侧面形成并且与相对置的后侧面(12)一起在纵向方向上形成具有侧向的增益导引的共振器，并且其中半导体层序列(2)通过在热影响区域(29)中工作而变热；金属化层(3)，所述金属化层与半导体层序列(2)的上侧(20)直接接触，其中上侧(20)通过半导体覆盖层(25)形成；和导出热量的结构化的层(4)；所述导出热量的结构化的层位于半导体层序列(2)的上侧(20)上，其中导出热量的结构化的层(4)至少具有金属化层(3)，其中金属化层(3)具有累加宽度(B1)并且累加宽度(B1)与热影响区域(29)的宽度(B2)的比值与距辐射耦合输出面(11)的间距相关地变化，其中导出热量的结构化的层(4)能够实现从有源区域(24)中的热量导出，所述热量导出沿着纵向方向和/或侧向方向变化。
公开日期	2014-08-06
申请日期	2012-11-19
状态	授权
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85946]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	欧司朗光电半导体有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	克里斯蒂安·劳尔,哈拉尔德·柯尼希,乌韦·施特劳斯,等. 半导体激光二极管. CN103975490A. 2014-08-06.

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