| 铟镧钛氧化物透明导电薄膜 | |
| 刘星元; 刘晓新; 王宁 | |
| 2010-06-23 | |
| 著作权人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 专利号 | CN101752027A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 铟镧钛氧化物透明导电薄膜 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种可应用于液晶显示屏、电致发光器件、太阳能电池、有机和无机半导体激光器等光电子器件的铟镧钛氧化物透明导电薄膜，它是在In2O3基体中掺杂La和Ti元素所构成的In-La-Ti-O氧化物，其中Ti与In的质量比为0.002∶1至0.3∶1，La和Ti的质量和与In的质量比为0.005∶1至0.4∶1。该透明导电薄膜具有化学稳定性好、导电性能优良、可见光透过率高以及功函数高的优点，有效地提高光电子器件的亮度或光电转换效率等性能。 |
| 公开日期 | 2010-06-23 |
| 申请日期 | 2010-02-09 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85921]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘星元,刘晓新,王宁. 铟镧钛氧化物透明导电薄膜. CN101752027A. 2010-06-23. |
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