半导体激光装置及其制造方法 | |
福久敏哉; 万浓正也; 古川秀利 | |
2007-01-24 | |
著作权人 | 松下电器产业株式会社 |
专利号 | CN1901302A |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 半导体激光装置及其制造方法 |
英文摘要 | 本发明提供了一种半导体激光装置及其制造方法,特别是,在二波长激光装置等的单片集成激光装置中,根据1次的杂质扩散工序,在活性层的发射边缘面附近区域分别形成良好的窗口区。其包括:发出第1波长激光的第1元件和发出第2波长激光的第2元件,该第1元件由第一导电型的第1覆层101、位于发射边缘面附近具有第1窗口区的第1活性层102、和第二导电型的第1覆层103在衬底上从下依次层积形成,该第2元件由第一导电型的第2覆层104、位于发射边缘面附近具有第2窗口区的第2活性层105、和第二导电型的第2覆层106在衬底上从下依次层积形成;第二导电型的第1覆层103的晶格常数及第二导电型的第2覆层106的晶格常数是被调整的常数,以使得在第1活性层102的第1窗口区中所含的杂质的扩散速度、和在第2活性层105的第2窗口区中所含的杂质的扩散速度的差异获得补偿。 |
公开日期 | 2007-01-24 |
申请日期 | 2006-07-19 |
状态 | 授权 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85827] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 松下电器产业株式会社 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 福久敏哉,万浓正也,古川秀利. 半导体激光装置及其制造方法. CN1901302A. 2007-01-24. |
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