| 半导体激光装置及其制造方法 | |
| 福久敏哉; 万浓正也; 古川秀利 | |
| 2007-01-24 | |
| 著作权人 | 松下电器产业株式会社 |
| 专利号 | CN1901302A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光装置及其制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供了一种半导体激光装置及其制造方法，特别是，在二波长激光装置等的单片集成激光装置中，根据1次的杂质扩散工序，在活性层的发射边缘面附近区域分别形成良好的窗口区。其包括：发出第1波长激光的第1元件和发出第2波长激光的第2元件，该第1元件由第一导电型的第1覆层101、位于发射边缘面附近具有第1窗口区的第1活性层102、和第二导电型的第1覆层103在衬底上从下依次层积形成，该第2元件由第一导电型的第2覆层104、位于发射边缘面附近具有第2窗口区的第2活性层105、和第二导电型的第2覆层106在衬底上从下依次层积形成；第二导电型的第1覆层103的晶格常数及第二导电型的第2覆层106的晶格常数是被调整的常数，以使得在第1活性层102的第1窗口区中所含的杂质的扩散速度、和在第2活性层105的第2窗口区中所含的杂质的扩散速度的差异获得补偿。 |
| 公开日期 | 2007-01-24 |
| 申请日期 | 2006-07-19 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85827]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下电器产业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 福久敏哉,万浓正也,古川秀利. 半导体激光装置及其制造方法. CN1901302A. 2007-01-24. |
| 个性服务 |
| 查看访问统计 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论