| 一种边发射半导体激光器件及其制造方法 | |
| 招瑜; 张梦龙; 李京波 | |
| 2017-07-21 | |
| 著作权人 | 广东工业大学 |
| 专利号 | CN106972344A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种边发射半导体激光器件及其制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种边发射半导体激光器件，所述激光器件包括衬底(1)、沉积于所述衬底(1)上的半导体外延层及设于所述半导体外延层的侧面的反射端面(8)和出射端面(9)；所述半导体外延层自下而上包括第一导电包覆层(2)、发光层(3)及第二导电包覆层(4)；所述第二导电包覆层(4)一端设置有第二电极(6)，所述衬底(1)底部或所述第一导电包覆层(2)一端设置有第一电极(7)；所述反射端面(8)上设置有周期介质复合层(10)，所述周期介质复合层(10)由三维的周期性排列介质层(11)和低折射率材料层(12)组成；本发明还公开了一种边发射半导体激光器件的制造方法。本发明器件具有高的反射率，可有效减少谐振腔的腔面损耗。 |
| 公开日期 | 2017-07-21 |
| 申请日期 | 2017-04-13 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85668]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 广东工业大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 招瑜,张梦龙,李京波. 一种边发射半导体激光器件及其制造方法. CN106972344A. 2017-07-21. |
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