| 一种低热应力结构的高功率半导体激光器 | |
| 刘兴胜; 王警卫 | |
| 2014-07-30 | |
| 著作权人 | 西安炬光科技股份有限公司 |
| 专利号 | CN203747236U |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 实用新型 |
| 其他题名 | 一种低热应力结构的高功率半导体激光器 |
| 英文摘要 | 本实用新型提供一种低热应力结构的高功率半导体激光器，该结构的半导体激光器热应力低，能够适应复杂工作环境。该高功率半导体激光器主要包括依次层叠的四层结构，第一层是作为正极连接块的热沉，热沉的安装平面上设置有芯片安装区和绝缘区，第二层包括半导体激光器芯片和绝缘片，半导体激光器芯片焊接于所述芯片安装区，绝缘片安装于所述绝缘区，第三层是起导电作用的电极连接层，第四层是负极连接块；所述电极连接层中，与半导体激光器芯片焊接的部位为平面齿状结构，用以降低电极连接层与芯片之间的热应力，该部位与负极连接块保持间隙，电极连接层的其他部位与负极连接块焊接。 |
| 公开日期 | 2014-07-30 |
| 申请日期 | 2013-12-25 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85642]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 西安炬光科技股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘兴胜,王警卫. 一种低热应力结构的高功率半导体激光器. CN203747236U. 2014-07-30. |
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