用分子束外延工艺制备Ⅱ型量子阱的方法及设备 | |
冀子武; 郑雨军; 赵雪琴; 李炳生; 徐现刚 | |
2009-09-23 | |
著作权人 | 山东大学 |
专利号 | CN101538700A |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 用分子束外延工艺制备Ⅱ型量子阱的方法及设备 |
英文摘要 | 用分子束外延工艺制备II型量子阱的方法及设备,在衬底上生长缓冲层、隔离层、势阱层、势垒层、势阱层、隔离层及覆盖层;使用的设备为双生长室分子束外延系统,包括III-V族和II-VI族两个生长室。每个均带有固体源蒸发器、五维可调样品架、四极质谱仪以及反射式高能电子衍射仪等;两生长室之间用超高真空传输管道连接以便样品的传送;超高真空传输管道备有抽气装置,且与两端所连接的两个生长室分别用插板阀隔开;样品架和固体源蒸发器都分别接有加热丝。本发明可用于光通信、量子信息存储和处理及半导体激光器等光电器件领域。 |
公开日期 | 2009-09-23 |
申请日期 | 2009-04-21 |
状态 | 失效 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85623] |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 山东大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 冀子武,郑雨军,赵雪琴,等. 用分子束外延工艺制备Ⅱ型量子阱的方法及设备. CN101538700A. 2009-09-23. |
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