| GaN基脊型激光二极管的制备方法 | |
| 鲁辞莽; 康香宁; 胡晓东; 陈伟华; 张国义; 秦志新; 吴洁君; 于彤军; 陈志忠 | |
| 2013-06-05 | |
| 著作权人 | 北京大学 |
| 专利号 | CN103138154A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | GaN基脊型激光二极管的制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种脊型GaN基激光二极管的制备方法，该方法通过在干法蚀刻脊型和沉积绝缘层之前在脊型的顶部掩埋一层不透明挡光层，阻止紫外光对脊型顶部光刻胶的曝光，然后通过背向曝光技术实现第二次光刻，继而可以采用湿法腐蚀绝缘层窗口，接着借助对该挡光层的腐蚀实现对残余绝缘层的剥离。本发明同时解决了目前脊型激光器电极窗口对准困难和绝缘层侧向腐蚀条件难于把握。 |
| 公开日期 | 2013-06-05 |
| 申请日期 | 2011-11-25 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85533]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 北京大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 鲁辞莽,康香宁,胡晓东,等. GaN基脊型激光二极管的制备方法. CN103138154A. 2013-06-05. |
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