半导体激光器及其制造方法
竹川浩
2005-09-21
著作权人夏普株式会社
专利号CN1220313C
国家中国
文献子类授权发明
其他题名半导体激光器及其制造方法
英文摘要本发明公开了一种半导体激光器及其制造方法。在该半导体激光器中,盖(32)的凸缘(33)带有直线切割部(34),其数量与管座(35)的凹槽(36,37)的数量一致。当将切割部(34)定位在与管座(35)的凹槽(36,37)在位置上不相重叠的地方时,对盖(32)和管座(35)之间进行焊接。盖(32)的切割部(34)确保在管座(35)的没有凹槽(36,37)的区域得到大面积的参考面38。其结果是,在抑制小直径管座(35)的不平坦度相对于光轴与光学拾波器的参考面的法线偏移的偏移角θ的影响的同时,能够确保在光学特性上获得足够的精度。
公开日期2005-09-21
申请日期2003-10-08
状态失效
内容类型专利
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85505]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位夏普株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
竹川浩. 半导体激光器及其制造方法. CN1220313C. 2005-09-21.
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