| 半导体激光器及其制备方法 | |
| 程洋; 刘建平; 张书明; 李德尧; 张立群; 杨辉 | |
| 2017-01-25 | |
| 著作权人 | 杭州增益光电科技有限公司 |
| 专利号 | CN106356715A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光器及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种半导体激光器，包括衬底以及依次叠层设置于该衬底上的下限制层、下波导层、量子阱有源区、上波导层以及上限制层，其中，所述上限制层的材料为透明导电氧化物。本发明还公开了如上所述半导体激光器的制备方法。本发明提供的半导体激光器中，通过使用透明导电氧化物替代P型氮化铝镓或者氮化铝镓/氮化镓超晶格作为上限制层的材料。由于透明导电氧化物可以在较低的温度下沉积，且具有较低的电阻率，因而可以减少上限制层的电阻率，降低激光器整体的串联电阻，同时减小量子阱有源区在上限制层生长过程中的热退化，提高激光器的性能。 |
| 公开日期 | 2017-01-25 |
| 申请日期 | 2015-07-16 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85408]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 杭州增益光电科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 程洋,刘建平,张书明,等. 半导体激光器及其制备方法. CN106356715A. 2017-01-25. |
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