| 半導体レーザ素子およびその製造方法 | |
| 小野 健一; 竹見 政義 | |
| 2005-12-22 | |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 专利号 | JP2005353654A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 p型層に低拡散性の不純物を添加した場合でも、バンド不連続に起因した素子抵抗や微分抵抗成分の上昇を抑制して、所望のデバイス特性を達成でき、高出力で高効率の半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体レーザ素子は、n型GaAsからなる基板7の上方に、III-V族化合物半導体でそれぞれ形成されたn型クラッド層5、活性層4およびp型クラッド層3が設けられ、p型クラッド層3の上に、III-V族化合物半導体からなるp型バンド不連続緩和層2を介して、p型GaAsからなるキャップ層1が設けられており、p型クラッド層3、p型バンド不連続緩和層2およびp型キャップ層1には、Znより拡散性の低いp型不純物、例えば、Mgが添加され、p型バンド不連続緩和層2は、2.5×1018cm-3以上のp型不純物濃度を有する。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2005-12-22 |
| 申请日期 | 2004-06-08 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85330]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小野 健一,竹見 政義. 半導体レーザ素子およびその製造方法. JP2005353654A. 2005-12-22. |
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