リッジ型分布帰還半導体レーザ
▼たか▲木 和久; 白井 聡; 青柳 利隆; 立岡 靖晃; 綿谷 力; 花巻 吉彦
2005-06-23
著作权人MITSUBISHI ELECTRIC CORP
专利号JP2005166998A
国家日本
文献子类发明申请
其他题名リッジ型分布帰還半導体レーザ
英文摘要【課題】 レーザ発振の閾値電流が低く、発光効率の大きいリッジ型分布帰還半導体レーザを提供する。 【解決手段】 n-InP基板101の上方に形成されたn-InGaAsP回折格子層112と、この回折格子層112の上方に形成されたAlGaInAs-MQW活性層103と、この活性層103の上に形成され、p-InPクラッド層106およびp-InGaAsコンタクト層108を備えたリッジ部114とを有する。ここで、回折格子層112のバンドギャップエネルギーに相当する波長λgとレーザ光の発振波長λとは、λ-150nm<λg<λ+100nmの関係を満たす。 【選択図】図1
公开日期2005-06-23
申请日期2003-12-03
状态失效
内容类型专利
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85195]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位MITSUBISHI ELECTRIC CORP
推荐引用方式
GB/T 7714
▼たか▲木 和久,白井 聡,青柳 利隆,等. リッジ型分布帰還半導体レーザ. JP2005166998A. 2005-06-23.
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