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	半導体レーザ素子及びその製造方法
	須山 尚宏; 近藤 雅文; 佐々木 和明; 細田 昌宏; 高橋 向星; 早川 利郎
	1994-07-27
著作权人	シャープ株式会社
专利号	JP1994056910B2
国家	日本
文献子类	授权发明
其他题名	半導体レーザ素子及びその製造方法
英文摘要	PURPOSE:To reduce an astigmatic difference by decreasing the thickness of a light guide layer and a clad layer outside a ridge near an emitting end face, and increasing the difference of equivalent refractive indexes between a region having the ridge and regions having no ridge on the both sides. CONSTITUTION:The thickness d1 of a light guide layer 6 and a clad layer 7 outside the ridge 12 of an emitting end face near region, the thickness c1 of a cap layer 8 in the ridge 12, the thickness l1 of the light guide layer 6 and the clad layer 7 inside the ridge 12, the thickness d0 of the light guide layer 6 and the clad layer 7 outside the ridge 12 of a self-excited oscillation region, the thickness c0 of the cap layer 8 in the ridge 12, and the thickness l0 of the light guide layer 6 and the clad layer 7 inside the ridge 12 satisfy the relationships d0>d1, c0
公开日期	1994-07-27
申请日期	1988-12-29
状态	失效
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84708]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	シャープ株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	須山 尚宏,近藤 雅文,佐々木 和明,等. 半導体レーザ素子及びその製造方法. JP1994056910B2. 1994-07-27.

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