| 光半導体素子の製造方法 | |
| 中村 隆宏 | |
| 1999-04-23 | |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 专利号 | JP2917695B2 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 光半導体素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 大面積ウエハで均一性、再現性に優れた光半導体素子を得るために、選択成長により活性層、電流ブロック層を作製する一括成長/プロセスの方法を提供する。 【構成】 MOVPE法によりまず、n型InP基板1上にエッチングストップ層としてn型InGaAsP層9、電流ブロック層としてp型InP層5、n型InP層6を成長する。次に、SiO2 膜21をマスクとして活性領域をエッチングし、MOVPE法により活性層を選択成長する。その後、SiO2 膜21を部分的に除去し、活性領域の全面にp型InP層5、p+ 型InGaAsキャップ層を選択成長する。 |
| 公开日期 | 1999-07-12 |
| 申请日期 | 1992-09-07 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84406]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中村 隆宏. 光半導体素子の製造方法. JP2917695B2. 1999-04-23. |
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