| 半導体レーザ | |
| 竹内 辰也 | |
| 2000-03-31 | |
| 著作权人 | FUJITSU LTD |
| 专利号 | JP2000091702A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】埋込型半導体レーザに関し、高出力化ならびに動作温度の高温化を図ること。 【解決手段】メサ状に形成されたn型クラッド層21,22 と、前記n型クラッド層21,22 の上に形成されたストライプ状の活性層23と、n型クラッド層21,22 の両側に形成され且つp型不純物が含有されたInP よりなる第1埋込層27,29 と、第1埋込層27,29 の中に形成されて、第1埋込層27,29 よりも濃度の高いp型不純物を含むAla Inb Gac Asd Pe (0≦a,b,c,d,e≦1)混晶半導体から構成される第2埋込層28と、活性層23の側方にあって第2埋込層28の上に形成されたn型電流ブロック層30と、n型電流ブロック層30及び活性層23の上に形成されたp型クラッド層24,32 を含む。 |
| 公开日期 | 2000-03-31 |
| 申请日期 | 1998-09-10 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83825]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJITSU LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 竹内 辰也. 半導体レーザ. JP2000091702A. 2000-03-31. |
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