| 光半導体素子 | |
| 登 正治; 藤原 博之; 小泉 真澄; 小椋 茂樹 | |
| 2000-09-22 | |
| 著作权人 | OKI ELECTRIC IND CO LTD |
| 专利号 | JP2000261029A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半導体素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 上部電極の陰となる部分から離れた領域に注入電流を導びく、比較的簡単な構成の光半導体素子を提供する。 【解決手段】 n型GaAs基板1上に、n型AlAs電流通電領域2-1とAlxOy電流阻止領域2-2とからなる電流経路規制層2、n型Al0.4Ga0.6As下部クラッド層3、p型Al0.15Ga0.85As活性層4、p型Al0.4Ga0.6As上部クラッド層5を順に設け、その上に発光窓を有するp+型GaAs電極コンタクト層6をもうけ、さらに中間絶縁膜7とP電極層8を設け、n型GaAs基板1の裏面にN電極層9を設ける。発光面側からみて上部電極層の陰となる領域はAlxOy電流阻止領域2-2であり、注入電流は上部電極に隠蔽されない部分に導びかれ、P電極層8の陰による発光出力の低下の改善等が達成される。 |
| 公开日期 | 2000-09-22 |
| 申请日期 | 1999-03-12 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83808]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | OKI ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 登 正治,藤原 博之,小泉 真澄,等. 光半導体素子. JP2000261029A. 2000-09-22. |
| 个性服务 |
| 查看访问统计 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论