| 半導体レーザの製造方法 | |
| 竹内 辰也; 渡辺 孝幸 | |
| 2000-03-14 | |
| 著作权人 | 富士通株式会社 |
| 专利号 | JP2000077789A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体レーザの製造方法に関し、素子の直列抵抗を低減し、高動作温度での特性を改善し、また、高電流注入時の特性を向上させる。 【解決手段】 ストライプ状メサ3の頂部に設けた誘電体マスクをマスクとしてストライプ状メサ3の側部を選択成長埋込層4で埋め込んだのち、p型InPクラッド層7を全面に成長させる際に、塩素化合物を添加した有機金属気相成長法により580℃以下の成長温度で成長を行う。 |
| 公开日期 | 2000-03-14 |
| 申请日期 | 1998-08-31 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83747]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 竹内 辰也,渡辺 孝幸. 半導体レーザの製造方法. JP2000077789A. 2000-03-14. |
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