| 半導体発光素子 | |
| 左文字 克哉; 小野澤 和利; 春日井 秀紀; 梶谷 亮 | |
| 2010-04-30 | |
| 著作权人 | PANASONIC CORP |
| 专利号 | JP2010098238A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】トレンチから基板の裏面にかけて連続的に金属膜を形成することなく、クラッド層の薄膜化と高Al組成化とを実現して、クラックフリーの半導体発光素子を提供する。 【解決手段】導電性基板1と、導電性基板1上に形成された窒化物半導体からなる第1導電型の第1クラッド層2と、第1クラッド層2上に形成された活性層4と、活性層4上に形成された第2導電型の第2クラッド層6とを備え、第2クラッド層6に光導波路7が形成される。光導波路7の少なくとも真下における導電性基板1には、導電性基板1を貫通する溝が形成される。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2010-04-30 |
| 申请日期 | 2008-10-20 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83246]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | PANASONIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 左文字 克哉,小野澤 和利,春日井 秀紀,等. 半導体発光素子. JP2010098238A. 2010-04-30. |
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