| 半導体レーザ | |
| 中塚 慎一; 上島 研一; 内田 憲治 | |
| 1994-10-18 | |
| 著作权人 | HITACHI LTD |
| 专利号 | JP1994291407A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | (修正有) 【構成】半導体レーザの活性層中にエッチングを停止するためのエッチストップ層5とレーザ光の光密度を下げるためのビーム拡大層6を設けた。 【効果】エッチストップ層とビーム拡大層とを独立に設計することが可能となり、高出力の半導体レーザを再現性よく得ることができる。 |
| 公开日期 | 1994-10-18 |
| 申请日期 | 1993-04-01 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83230]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中塚 慎一,上島 研一,内田 憲治. 半導体レーザ. JP1994291407A. 1994-10-18. |
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