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	半導体レーザ素子およびその製造方法ならびに半導体レーザ装置
	上島 研一; 宮内 恵一
	2000-03-14
著作权人	株式会社日立製作所
专利号	JP2000077777A
国家	日本
文献子类	发明申请
其他题名	半導体レーザ素子およびその製造方法ならびに半導体レーザ装置
英文摘要	【課題】 しきい値および動作電流の低減。 【解決手段】 第1導電型の半導体基板と、前記半導体基板の一面に形成される第1導電型の下クラッド層と、前記クラッド層上に形成される活性層と、前記活性層上に形成され一部にストライプ状のリッジを有する上クラッド層と、前記上クラッド層上に形成されかつ前記リッジを挟むように配置形成される一対の第2導電型のブロック層と、前記リッジおよび前記ブロック層を被う第2導電型のキャップ層と、前記キャップ層上に形成される第1の電極と、前記半導体基板の裏面に形成される第2の電極とからなる半導体レーザを有するリッジ型半導体レーザ素子であって、前記リッジから外れる活性層部分は不純物の拡散による無秩序化層になっている。活性層は多重量子井戸構造である。
公开日期	2000-03-14
申请日期	1998-08-28
状态	失效
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83135]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	株式会社日立製作所
推荐引用方式 GB/T 7714	上島 研一,宮内 恵一. 半導体レーザ素子およびその製造方法ならびに半導体レーザ装置. JP2000077777A. 2000-03-14.

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