高压辅助法制备红外非线性AgGaGe5Se(12)、AgGaGeS4晶体

	高压辅助法制备红外非线性AgGaGe5Se(12)、AgGaGeS4晶体
	马佳仁 1; 黄昌保 1; 倪友保 1; 吴海信 1; 王振友 1
刊名	人工晶体学报
	2018
卷号	047
关键词	AgGaGe5Se12 AgGaGeS4 中远红外激光高压辅助法
ISSN号	1000-985X
其他题名	High-Presure-Assisted Preparation of Infrared Nonlinear Crystal AgGaGe5Se12 and AgGaGeS4
英文摘要	AgGaGe5Se(12)、AgGaGeS4非线性晶体在中远红外激光具有良好的应用前景。合成高纯多晶是制备可器件化单晶元件的关键。但S、Se易挥发、高温下饱和蒸气压高,易导致石英坩埚的爆炸,组分偏离化学计量比。为此,本文采用一种新型的高压辅助法合成出大尺寸高纯的多晶原料,解决了石英坩埚爆炸和组份偏离问题,并在此基础上进行了单晶的生长过程。多晶X射线粉末衍射测试结果与模拟图谱或者标准PDF卡片一致; X射线荧光光谱分析得到各元素百分含量非常接近化学计量比,AgGaGe5Se(12)中Ag、Ga、Ge、Se各占7. 86%、5. 08%、23. 80%、63. 26%,AgGaGeS4中Ag、Ga、Ge、S各占28. 22%、18. 24%、19. 52%、34. 02%;单晶透过率测试得到AgGaGe5Se(12)、AgGaGeS4透过率分别为60%、70%,证明此方法制备的AgGaGe5Se(12)、AgGaGeS4晶体性能优良,展现了该方法在多晶合成的应用潜力。
语种	中文
CSCD记录号	CSCD:6393895
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.hfcas.ac.cn:8080/handle/334002/100541]
专题	中国科学院合肥物质科学研究院
作者单位	1.中国科学院合肥物质科学研究院 2.中国科学技术大学
推荐引用方式 GB/T 7714	马佳仁,黄昌保,倪友保,等. 高压辅助法制备红外非线性AgGaGe5Se(12)、AgGaGeS4晶体[J]. 人工晶体学报,2018,047.
APA	马佳仁,黄昌保,倪友保,吴海信,&王振友.(2018).高压辅助法制备红外非线性AgGaGe5Se(12)、AgGaGeS4晶体.人工晶体学报,047.
MLA	马佳仁,et al."高压辅助法制备红外非线性AgGaGe5Se(12)、AgGaGeS4晶体".人工晶体学报 047(2018).