伽马射线辐照对硅光电二极管性能的影响

	伽马射线辐照对硅光电二极管性能的影响
刊名	红外与激光工程
	2016
卷号	045
关键词	伽马射线辐照硅光电二极管暗电流光谱响应度
ISSN号	1007-2276
其他题名	Effect of gamma ray irradiation on silicon photodiodes
英文摘要	研究了伽马（γ）射线辐照对星上定标用硅光电二极管性能的影响。使用硅光电二极管分别接受20 krad（Si）、35 krad（Si）、50 krad（Si）总剂量的γ射线辐照,对比了器件在不同辐照剂量下暗电流及光谱响应度的变化。结果显示在35 krad（Si）以下剂量照射下,硅光电二极管暗电流及光谱响应度均未发现明显的变化,在50 krad（Si）剂量照射下,参试样品出现暗电流增加的现象,但该变化在定标器应用过程中带来的影响可以忽略。试验结果表明,参试的硅光电二极管在空间辐照环境下具有良好的稳定性及可靠性,可以作为在轨定标器可见波段探测单元备选器件。
语种	中文
CSCD记录号	CSCD:5667977
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.hfcas.ac.cn:8080/handle/334002/70212]
专题	中国科学院合肥物质科学研究院
推荐引用方式 GB/T 7714	. 伽马射线辐照对硅光电二极管性能的影响[J]. 红外与激光工程,2016,045.
APA	(2016).伽马射线辐照对硅光电二极管性能的影响.红外与激光工程,045.
MLA	"伽马射线辐照对硅光电二极管性能的影响".红外与激光工程 045(2016).