可控硅交流调压整流输出残压的分析及消除

	可控硅交流调压整流输出残压的分析及消除
刊名	高电压技术
	2004
卷号	030
关键词	LHCD可控硅交流调压残压等效电路过压保护
ISSN号	1003-6520
其他题名	Analysis and Elimination of the Remaining DC Voltage of HV Power Supply of LHCD System
英文摘要	为消除传统交流调压电路用低杂波电流驱动(LHCD)电源时高达数kV的直流残压，分析了可控硅交流凋压器的等效电路，该结果表明残压产生的原因是变压器励磁电感和可控硅过压保护电容形成了谐振电路。在此基础上提出了一种新型可控硅换相过压保护接线法，分析表明该法既可防止可控硅过电压和过大的du／dt，又可有效消除直流侧残压，大大提高了LHCD装置运行的安全性。
语种	中文
CSCD记录号	CSCD:1670441
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.hfcas.ac.cn:8080/handle/334002/64624]
专题	中国科学院合肥物质科学研究院
推荐引用方式 GB/T 7714	. 可控硅交流调压整流输出残压的分析及消除[J]. 高电压技术,2004,030.
APA	(2004).可控硅交流调压整流输出残压的分析及消除.高电压技术,030.
MLA	"可控硅交流调压整流输出残压的分析及消除".高电压技术 030(2004).