等离子体诱变灵芝选育高产纳米硒菌株

	等离子体诱变灵芝选育高产纳米硒菌株
刊名	菌物学报
	2020
卷号	039
关键词	灵芝低温等离子体诱变纳米硒
ISSN号	1672-6472
其他题名	Plasma mutagenesis of Ganoderma lingzhi for breeding the high-nano-selenium strains
英文摘要	本研究应用介质阻挡放电(DBD)等离子体对一种富硒灵芝的原生质体进行诱变,并筛选出高产纳米硒菌株。通过实验,得到优化的等离子体放电条件,如:电压15.6kV、电流1.8mA、放电频率1.8kHz、处理2.5min等,在此条件进行诱变处理,通过随机扩增多态性DNA标记(RAPD)法鉴定,筛选出6株突变菌株。对突变菌株进行传代培养,富硒培养测定菌丝体中硒含量发现突变菌株(H10)与出发菌株相比,菌丝体中纳米硒含量提高了大约30%,从而得到富硒的优良突变菌株。本研究为灵芝提供了一种方便可行的诱变方法,并为灵芝纳米硒相关产品的开发和应用提供了优良菌株。
语种	中文
CSCD记录号	CSCD:6676765
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.hfcas.ac.cn:8080/handle/334002/63617]
专题	中国科学院合肥物质科学研究院
推荐引用方式 GB/T 7714	. 等离子体诱变灵芝选育高产纳米硒菌株[J]. 菌物学报,2020,039.
APA	(2020).等离子体诱变灵芝选育高产纳米硒菌株.菌物学报,039.
MLA	"等离子体诱变灵芝选育高产纳米硒菌株".菌物学报 039(2020).