AgGaGeS4晶体生长及性能研究

	AgGaGeS4晶体生长及性能研究
刊名	人工晶体学报
	2010
卷号	039
关键词	AgGaGeS4晶体布里奇曼法倍频损伤阈值
ISSN号	1000-985X
其他题名	Growth and Properties of AgGaGeS4 Crystals
英文摘要	采用竖式布里奇曼法成功生长出大尺寸30mm×80mm的AgGaGeS4单晶。X射线摇摆曲线测试结果表明该单晶结构完整。单晶元件在1.5～9.6μm波段平均吸收系数约为0.25cm-1,其中6.7～7.8μm波段小于0.02cm-1。制备的Ⅰ型相位匹配晶片元件（切角θ=43.5°,φ=0°,尺寸7mm×7mm×2.7mm）,在中心波长8.0305μm基频光泵浦下,倍频输出了4.0153μm红外激光,实验测得其实际相位匹配角为42.2°。利用波长2.05μm、脉冲宽度20ns的激光光源,测得其激光抗损伤阈值为270MW/cm2。结合相图及温场分布对晶体生长过程中的关键问题进行了分析。
语种	中文
CSCD记录号	CSCD:3834877
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.hfcas.ac.cn:8080/handle/334002/62271]
专题	中国科学院合肥物质科学研究院
推荐引用方式 GB/T 7714	. AgGaGeS4晶体生长及性能研究[J]. 人工晶体学报,2010,039.
APA	(2010).AgGaGeS4晶体生长及性能研究.人工晶体学报,039.
MLA	"AgGaGeS4晶体生长及性能研究".人工晶体学报 039(2010).