AgGaGeS4晶体生长及性能研究 | |
刊名 | 人工晶体学报
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2010 | |
卷号 | 039 |
关键词 | AgGaGeS4晶体 布里奇曼法 倍频 损伤阈值 |
ISSN号 | 1000-985X |
其他题名 | Growth and Properties of AgGaGeS4 Crystals |
英文摘要 | 采用竖式布里奇曼法成功生长出大尺寸30mm×80mm的AgGaGeS4单晶。X射线摇摆曲线测试结果表明该单晶结构完整。单晶元件在1.5~9.6μm波段平均吸收系数约为0.25cm-1,其中6.7~7.8μm波段小于0.02cm-1。制备的Ⅰ型相位匹配晶片元件(切角θ=43.5°,φ=0°,尺寸7mm×7mm×2.7mm),在中心波长8.0305μm基频光泵浦下,倍频输出了4.0153μm红外激光,实验测得其实际相位匹配角为42.2°。利用波长2.05μm、脉冲宽度20ns的激光光源,测得其激光抗损伤阈值为270MW/cm2。结合相图及温场分布对晶体生长过程中的关键问题进行了分析。 |
语种 | 中文 |
CSCD记录号 | CSCD:3834877 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.hfcas.ac.cn:8080/handle/334002/62271] ![]() |
专题 | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | . AgGaGeS4晶体生长及性能研究[J]. 人工晶体学报,2010,039. |
APA | (2010).AgGaGeS4晶体生长及性能研究.人工晶体学报,039. |
MLA | "AgGaGeS4晶体生长及性能研究".人工晶体学报 039(2010). |
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