改进水平籽晶气相法生长CdSe单晶

	改进水平籽晶气相法生长CdSe单晶
刊名	人工晶体学报
	2017
卷号	046
关键词	气相升华法晶体生长 CdSe晶体性能检测
ISSN号	1000-985X
其他题名	Growth of CdSe Crystal by Modified Horizontal Seed Vapor Phase Method
英文摘要	采用改进的双温区水平籽晶气相升华法,生长出尺寸为15 mm×35 mm的完整Cd Se单晶体。经X射线衍射仪、能谱分析仪和傅里叶红外光谱仪的检测,Cd Se单晶粉末衍射谱与标准衍射峰吻合较好,单晶摇摆曲线半高宽0.5°;Cd、Se化学计量比等于1∶0.977,接近理想比;晶体在2.5-20.0μm红外波段范围内的透过率T〉65%,吸收系数α〈0.1 cm^-1。这些结果表明,采用本方法生长的晶体结晶性较好、成分均匀、透过率较高,品质良好,这对生长类似高蒸气压、高熔点的Ⅲ-Ⅴ、Ⅱ-Ⅵ族晶体,会有所帮助。
语种	中文
CSCD记录号	CSCD:5906971
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.hfcas.ac.cn:8080/handle/334002/60273]
专题	中国科学院合肥物质科学研究院
推荐引用方式 GB/T 7714	. 改进水平籽晶气相法生长CdSe单晶[J]. 人工晶体学报,2017,046.
APA	(2017).改进水平籽晶气相法生长CdSe单晶.人工晶体学报,046.
MLA	"改进水平籽晶气相法生长CdSe单晶".人工晶体学报 046(2017).