化学气相沉积制备毫米级单晶石墨烯的生长条件调控研究

	化学气相沉积制备毫米级单晶石墨烯的生长条件调控研究
	周国庆 1; 胡林 2; 魏凌志 2; 张发培 2
刊名	功能材料
	2017
卷号	048
关键词	单晶石墨烯化学气相沉积成核密度铜箔衬底场效应晶体管
ISSN号	1001-9731
其他题名	Controlling the growth conditions to prepare millimeter size single crystal graphene by chemical vapor deposition
英文摘要	石墨烯的形核和生长动力学过程的控制对于单晶石墨烯的制备有着至关重要的影响。采用低压化学气相沉积（CVD）方法,通过优化生长条件参数,在铜箔衬底上生长出4mm左右的大尺寸单晶石墨烯。通过一系列形貌和结构的表征,证明了样品为高质量的单层单晶石墨烯。同时观察到CVD生长的亚毫米级、A-B型堆垛的多层单晶石墨烯畴,以及由单晶石墨烯共生形成的叠层结构。此外通过采用3种类型的铜箔衬底生长石墨烯,发现铜箔特性如体氧含量等对石墨烯成核密度和单晶石墨烯形貌有重要的影响,并观察到不同类型铜箔的晶面择优取向在CVD生长前后发生不同的转变。最后,利用所生长的大尺度单晶石墨烯制备场效应晶体管,实现高的载流子迁移率。
语种	中文
CSCD记录号	CSCD:5977380
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.hfcas.ac.cn:8080/handle/334002/50856]
专题	中国科学院合肥物质科学研究院
作者单位	1.中国科学院大学 2.中国科学院强磁场科学中心 3.中国科学院强磁场科学中心 4.中国科学院强磁场科学中心
推荐引用方式 GB/T 7714	周国庆,胡林,魏凌志,等. 化学气相沉积制备毫米级单晶石墨烯的生长条件调控研究[J]. 功能材料,2017,048.
APA	周国庆,胡林,魏凌志,&张发培.(2017).化学气相沉积制备毫米级单晶石墨烯的生长条件调控研究.功能材料,048.
MLA	周国庆,et al."化学气相沉积制备毫米级单晶石墨烯的生长条件调控研究".功能材料 048(2017).