磁场辅助等离子体增强化学气相沉积 | |
陈家荣1; 陈文锦1; 邱凯1; 马文霞1 | |
刊名 | 真空 |
2007 | |
卷号 | 044 |
关键词 | PECVD 氮化硅 磁场 沉积速率 折射率 表面形貌 |
ISSN号 | 1002-0322 |
其他题名 | Magnetic-field-aided plasma enhanced chemical vapor deposition |
英文摘要 | 本文根据螺线管线圈内部磁场的分布规律,以及磁场对等离子体内部电子的作用原理,设计了磁场辅助的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统,并且研究了在PECVD系统中获得均匀磁场的方法。而后,以SiH4和N2为反应气体,在低气压下沉积了SiN薄膜。测量了SiN薄膜的沉积速率,折射率,表面形貌等参数。验证了磁场分布的均匀性,分析了磁场在等离子体增强化学气相沉积系统中的作用。 |
语种 | 中文 |
CSCD记录号 | CSCD:2779388 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.hfcas.ac.cn:8080/handle/334002/50105] |
专题 | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
作者单位 | 1.中国科学院固体物理研究所 2.中国科学院固体物理研究所 3.中国科学院固体物理研究所 4.中国科学院固体物理研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈家荣,陈文锦,邱凯,等. 磁场辅助等离子体增强化学气相沉积[J]. 真空,2007,044. |
APA | 陈家荣,陈文锦,邱凯,&马文霞.(2007).磁场辅助等离子体增强化学气相沉积.真空,044. |
MLA | 陈家荣,et al."磁场辅助等离子体增强化学气相沉积".真空 044(2007). |
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