磁场辅助等离子体增强化学气相沉积
陈家荣1; 陈文锦1; 邱凯1; 马文霞1
刊名真空
2007
卷号044
关键词PECVD 氮化硅 磁场 沉积速率 折射率 表面形貌
ISSN号1002-0322
其他题名Magnetic-field-aided plasma enhanced chemical vapor deposition
英文摘要本文根据螺线管线圈内部磁场的分布规律,以及磁场对等离子体内部电子的作用原理,设计了磁场辅助的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统,并且研究了在PECVD系统中获得均匀磁场的方法。而后,以SiH4和N2为反应气体,在低气压下沉积了SiN薄膜。测量了SiN薄膜的沉积速率,折射率,表面形貌等参数。验证了磁场分布的均匀性,分析了磁场在等离子体增强化学气相沉积系统中的作用。
语种中文
CSCD记录号CSCD:2779388
内容类型期刊论文
源URL[http://ir.hfcas.ac.cn:8080/handle/334002/50105]  
专题中国科学院合肥物质科学研究院
作者单位1.中国科学院固体物理研究所
2.中国科学院固体物理研究所
3.中国科学院固体物理研究所
4.中国科学院固体物理研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
陈家荣,陈文锦,邱凯,等. 磁场辅助等离子体增强化学气相沉积[J]. 真空,2007,044.
APA 陈家荣,陈文锦,邱凯,&马文霞.(2007).磁场辅助等离子体增强化学气相沉积.真空,044.
MLA 陈家荣,et al."磁场辅助等离子体增强化学气相沉积".真空 044(2007).
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