C-SiC共沉积基体氧化行为研究

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	C-SiC共沉积基体氧化行为研究
	邓景屹 ; 刘文川 ; 杜海峰
	1998-09-09
会议名称	第17届炭-石墨材料学术会议
会议日期	1998-09-09
会议地点	太原
关键词	梯度基复合材料共沉积氧化防护炭/炭
中文摘要	该研究比较了Ｃ－ＳｉＣ梯度基复合材料和Ｃ／Ｃ复合材料的氧化行为。实验结果表明ＳｉＣ通过占据表面活性点提高了共沉积基体的氧化起始温度；由于减少了碳与氧的接触面积，阻挡氧化凹坑的扩展，降低了材料的氧化失重速率。利用ＳＥＭ观察了梯度基复合材料微观氧化过程。
会议主办者	中国电工技术学会
会议录	第17届炭--石墨材料学术会论文集
会议录出版者	中国电工技术学会
会议录出版地	北京
语种	中文
内容类型	会议论文
源URL	[http://210.72.142.130/handle/321006/69860]
专题	金属研究所_中国科学院金属研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	邓景屹,刘文川,杜海峰. C-SiC共沉积基体氧化行为研究[C]. 见:第17届炭-石墨材料学术会议. 太原. 1998-09-09.