C-SiC共沉积基体氧化行为研究 | |
邓景屹 ; 刘文川 ; 杜海峰 | |
1998-09-09 | |
会议名称 | 第17届炭-石墨材料学术会议 |
会议日期 | 1998-09-09 |
会议地点 | 太原 |
关键词 | 梯度基 复合材料 共沉积 氧化防护 炭/炭 |
中文摘要 | 该研究比较了C-SiC梯度基复合材料和C/C复合材料的氧化行为。实验结果表明SiC通过占据表面活性点提高了共沉积基体的氧化起始温度;由于减少了碳与氧的接触面积,阻挡氧化凹坑的扩展,降低了材料的氧化失重速率。利用SEM观察了梯度基复合材料微观氧化过程。 |
会议主办者 | 中国电工技术学会 |
会议录 | 第17届炭--石墨材料学术会论文集
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会议录出版者 | 中国电工技术学会 |
会议录出版地 | 北京 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 会议论文 |
源URL | [http://210.72.142.130/handle/321006/69860] ![]() |
专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 邓景屹,刘文川,杜海峰. C-SiC共沉积基体氧化行为研究[C]. 见:第17届炭-石墨材料学术会议. 太原. 1998-09-09. |
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