基于移动掩模曝光的聚酰亚胺连续微结构刻蚀工艺研究

	基于移动掩模曝光的聚酰亚胺连续微结构刻蚀工艺研究
	谢玉萍 2; 吴鹏1 ; 杨正1 ; 尹韶云1 ; 杜春雷1 ; 董连和 2
刊名	光子学报
	2015
卷号	44 期号:9 页码:0922004
ISSN号	1004-4213
英文摘要	为实现在聚酰亚胺薄膜上制备连续面形的微透镜结构,开发了一种薄膜光刻刻蚀的工艺方法.首先利用移动掩模曝光得到连续面形的光刻胶微浮雕结构,再通过反应离子刻蚀技术将微结构高保真度、低粗糙度地转移到PI薄膜上.为解决刻蚀过程中最关键的等比刻蚀问题,分别研究了刻蚀气体组分的优选、气体组分配比和气体流量的优化等对等比刻蚀的影响.实验结果表明:在一定的刻蚀条件(如射频功率、腔室压强和自偏压)下,O_2+SF_6的混合工作气体中, O_2为一定值,随着SF_6占的比例增加至13.04%,总流量为46sccm的优化值时,实现了刻蚀速率和刻蚀比分别为136 nm/min和1∶1.02,刻蚀误差仅为2.3%的较好各向异性刻蚀.通过实验室搭建的焦距测试系统,证明了该方法在PI薄膜上制备的微透镜阵列与石英上具有相同的光学特性.
语种	英语
内容类型	期刊论文
源URL	[http://119.78.100.138/handle/2HOD01W0/9311]
专题	中国科学院重庆绿色智能技术研究院
作者单位	1.中国科学院重庆绿色智能技术研究院 2.长春理工大学
推荐引用方式 GB/T 7714	谢玉萍,吴鹏,杨正,等. 基于移动掩模曝光的聚酰亚胺连续微结构刻蚀工艺研究[J]. 光子学报,2015,44(9):0922004.
APA	谢玉萍,吴鹏,杨正,尹韶云,杜春雷,&董连和.(2015).基于移动掩模曝光的聚酰亚胺连续微结构刻蚀工艺研究.光子学报,44(9),0922004.
MLA	谢玉萍,et al."基于移动掩模曝光的聚酰亚胺连续微结构刻蚀工艺研究".光子学报 44.9(2015):0922004.