题名 | 校准射电源的VLBA成图和结构效应分析 |
作者 | 何旋 |
答辩日期 | 2018-06 |
文献子类 | 硕士 |
授予单位 | 中国科学院研究生院 |
授予地点 | 上海 |
导师 | 舒逢春 |
关键词 | Vlba, 射电源, 成图, 结构效应, 结构指数 |
其他题名 | Imaging calibrators with the VLBA and analysis of source structure effects |
学位专业 | 仪器仪表工程 |
英文摘要 |
摘要
校准射电源是开展高精度VLBI 天体测量、大地测量和深空导航的基础。
在毫角秒尺度上,相当数量的校准射电源在空间中呈现出延展的结构,某些射
电源存在数月尺度的结构变化。开展校准射电源的天体测量巡天观测,可以获
得它们的精确位置、图像和流量密度等信息。根据校准射电源的图像结果建模
并且量化射电源的结构对其时延的影响,对于相位参考校准源的选取、射电天
球参考架的改进和射电-光学参考架的连接具有重要意义。本文的主要工作包括
以下三个方面:
(1)利用DIFMAP 软件对VLBA 天体测量观测项目(BS250 和BG219I)
的目标射电源进行自动批量成图。人工检查自动批量成图的结果,针对那些图
像有明显旁瓣、射电源结构成分不确定或者图像均方根噪声明显偏高的射电源
重新进行人工成图。
(2)编写了射电源结构时延计算程序,并利用Fey1997 年发表的文章中部
分射电源相同的数据,计算获得这些射电源的结构时延与Fey 的结果进行对比,
结构时延的结果误差基本在10% 以内。
(3)利用射电源结构时延计算软件,完成了BS250 和BG219I 在S/X 双
波段均成功检测到的共403 颗目标源的结构时延的计算,获得了这些目标源的
在每条基线上的结构时延,以及每颗射电源结构时延的最大值、平均值、均方
根、中位数和结构指数。同时,计算获得了每颗射电源的“致密度”和谱指数。
根据上述工作,射电源可见度数据的自动批量成图结果中,约有40% 的射
电源需要人工重新成图。这种射电源成图方式,在提高成图工作效率的同时,
确保了所有射电源的成图结果的正确性。根据这403 颗射电源的结构效应的研
究,无论是BG219I 观测中的强校准源还是BS250 观测中的微弱校准源,都有
50% 左右的射电源的结构指数大于3.0。射电源的结构指数越大,即射电源结构
越延展,射电源的“致密度”就越小。射电源的谱指数小于-0.8 时,射电源通
常不够致密。 |
语种 | 中文 |
学科主题 | 射电天文学其他学科 |
内容类型 | 学位论文 |
源URL | [http://119.78.226.72/handle/331011/29846] |
专题 | 上海天文台_中国科学院上海天文台学位论文 |
作者单位 | 中国科学院上海天文台 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 何旋. 校准射电源的VLBA成图和结构效应分析[D]. 上海. 中国科学院研究生院. 2018. |
个性服务 |
查看访问统计 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论