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	面発光型半導体レーザ装置およびその製造方法
	植木 伸明; 布施 マリオ; 瀬古 保次; 中山 秀生; 村上 朱実; 福永 秀樹; 乙間 広己
	1997-01-17
著作权人	富士ゼロックス株式会社
专利号	JP1997018093A
国家	日本
文献子类	发明申请
其他题名	面発光型半導体レーザ装置およびその製造方法
英文摘要	【課題】 表面での非発光再結合および損傷を受けた領域での非発光再結合による電流損失を低減し、しきい値電流の低い面発光型半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】 本発明の面発光型半導体レーザ装置では、第1導電型の半導体基板1上に、第1導電型の半導体多層反射膜2と、第1導電型のクラッド層3と、少なくともひとつの量子井戸構造をもつ量子井戸構造をもつ量子井戸活性層4と、第2導電型のクラッド層5と、第2導電型の半導体多層反射膜6と、第2導電型のコンタクト層7とが順次積層されてなる面発光型の半導体レーザ装置において、前記量子井戸活性層はそのまま残留させ、第2導電型のクラッド層5上の前記第2導電型の半導体多層反射膜6および第2導電型のコンタクト層7とを選択的に除去するようにしたことを特徴とする。
公开日期	1997-01-17
申请日期	1996-04-24
状态	失效
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83056]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	富士ゼロックス株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	植木 伸明,布施 マリオ,瀬古 保次,等. 面発光型半導体レーザ装置およびその製造方法. JP1997018093A. 1997-01-17.

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