| 氮化物半导体激光元件 | |
| 小野泽和利; 田村聪之; 春日井秀纪 | |
| 2011-02-02 | |
| 著作权人 | 松下电器产业株式会社 |
| 专利号 | CN101965667A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 氮化物半导体激光元件 |
| 英文摘要 | 本发明涉及的氮化物半导体激光元件具备：形成在基板上的由氮化物半导体构成的活性层(106)；和形成在活性层(106)上，具有使电流选择性地向活性层(106)流动的开口部(109a)的电流缩窄层(109)；在将开口部(109a)与电流缩窄层(109)之间的有效折射率差设为Δn、将从活性层(106)发出的激光之中被封闭在活性层(106)中的激光的垂直方向的光封闭率设为Γv时，满足0.044＜Δn/Γv＜0.062的关系。 |
| 公开日期 | 2011-02-02 |
| 申请日期 | 2009-10-21 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82344]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下电器产业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小野泽和利,田村聪之,春日井秀纪. 氮化物半导体激光元件. CN101965667A. 2011-02-02. |
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