| 垂直共振腔面射型雷射二極體及其製造方法 | |
| 洪瑞華; 武東星 | |
| 2004-08-01 | |
| 著作权人 | 國立中興大學 |
| 专利号 | TW200414642A |
| 国家 | 中国台湾 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 垂直共振腔面射型雷射二極體及其製造方法 |
| 英文摘要 | 本發明提出一種垂直共振腔面射型雷射二極體及其製造方法，主要係先形成n型及p型歐姆接觸電極，再形成上介電材質之布拉格反射層，而後將晶圓貼至一暫時基板，並移除磊晶用之基板，再鍍上下介電材質之布拉格反射層，與電鍍用之金屬層，最後電鍍一永久基板。藉由本發明之方法可使布拉格反射層(DBR)保持高鏡面反射率，又可於室溫製作具散熱功能之金屬基板，甚至經適當設計可製作成無須切割之金屬基板，具高功率雷射之應用潛力，製程簡單而成本較低。 |
| 公开日期 | 2004-08-01 |
| 申请日期 | 2003-01-23 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/82304]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 國立中興大學 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 洪瑞華,武東星. 垂直共振腔面射型雷射二極體及其製造方法. TW200414642A. 2004-08-01. |
| 个性服务 |
| 查看访问统计 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论